Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP34NM60N — это полупроводниковый прибор типа MDmesh™ II в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 одинаковых транзисторов.
- Тип: N-MOSFET, технология MDmesh™ II
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 20 А
- Мощность рассеивания: 250 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 20 А. Мощность рассеивания составляет 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,105 Ом.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в стандартном корпусе TO220-3 с выводами для установки на печатную плату (THT).
Технология MDmesh™ II
Использование технологии MDmesh™ II от STMicroelectronics определяет характеристики транзистора как униполярного N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В.