Транзистор IGBT STGW30V60DF от STMicroelectronics в корпусе TO247-3. Это полупроводниковый прибор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 30 А. В комплекте 10 единиц.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 30 А
• Максимальная мощность рассеивания: 258 Вт
• Корпус: TO247-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и максимальный ток коллектора 30 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 258 Вт. Согласно данным магазина, напряжение между затвором и эмиттером может достигать ±20 В, а заряд затвора — 163 нКл.

Прибор выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Внутренняя структура включает интегрированный антипараллельный диод. Тип транзистора: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором).

В наборе 10 транзисторов.