IGBT-транзистор STMicroelectronics STGF6NC60HD в корпусе TO220FP. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, мощность рассеивания — 25 Вт. В комплекте 20 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 21 А
- Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
- Корпус: TO220FP
- Тип монтажа: штыревой
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и максимальный ток коллектора 21 А. Максимальная мощность рассеивания равна 25 Вт. Заряд затвора — 13,6 нКл, допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Корпус TO220FP обеспечивает штыревой тип монтажа.
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов.