IGBT транзистор STGF19NC60KD от STMicroelectronics в корпусе TO220FP для монтажа на плату. Комплект состоит из 10 штук, предназначенных для коммутации тока до 10 А при напряжении 600 В.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Ток коллектора: 10 А (постоянный), 75 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 32 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Комплектация: 10 шт.

Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 10 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 75 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 32 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется методом выводов в отверстия платы (THT). Напряжение на затворе ограничено диапазоном ±20 В, а заряд затвора равен 55 нКл.