IGBT-транзистор STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 в корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для электронных схем с нагрузкой до 600 В и током коллектора 10 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 10 А (30 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 62 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 10 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 62 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе для поверхностного монтажа DPAK. Монтаж осуществляется по технологии SMD. Напряжение на затворе ограничено диапазоном ±20 В, а заряд затвора равен 19 нКл.
Особенности конструкции
В корпусе интегрирован антипараллельный диод.