Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N — это полевой транзистор с индуцированным каналом и технологией MDmesh™ II. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В, ток стока 8.2 А и мощность рассеивания 30 Вт. В комплект входит 10 единиц в корпусе TO220FP.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 8.2 А
• Максимальная мощность рассеивания: 30 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 285 мОм
• Корпус: TO220FP, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 600 В и напряжением затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 8.2 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 285 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 30 Вт.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с индуцированным каналом и униполярной проводимостью. Технология MDmesh™ II определяет структуру кристалла.

В набор входит 10 транзисторов STF18NM60N. Код производителя: STF18NM60N.