Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2 — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором. Устройство выполнено в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и имеет встроенную защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 4,9 А
• Рассеиваемая мощность: 85 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Защита ESD и технология SuperMesh™
• Набор: 20 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 4,9 А. Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±25 В. Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,6 Ом.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), что означает отсутствие тока в закрытом состоянии при нулевом напряжении на затворе. Корпус DPAK и монтаж SMD.

Товар поставляется набором из 20 шт.