Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6 — полевой транзистор с индуцированным каналом. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 600 В и ток стока 19 А в корпусе TO220-3.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный ток стока: 19 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 99 мОм
- Корпус: TO220-3, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимально допустимый ток стока равен 19 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 99 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 210 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — индуцированный. Импульсный ток стока (Idm) может достигать 95 А, а заряд затвора составляет 44 нКл.
Комплектация
В комплекте поставки находится 5 шт. транзисторов.