Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40N60M2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 22 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 88 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, защита ESD
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 22 А. Рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 88 мОм.
Технология и защита
Прибор изготовлен по технологии SuperMesh™. Присутствует защита от электростатического разряда (ESD). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±25 В.