Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11NK50ZT4 — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электрических схемах. Модель выполнена в корпусе D2PAK с поверхностным монтажом и имеет максимальную рассеиваемую мощность 125 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 6.3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и максимально допустимый ток стока 6.3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 520 мОм, что определяет тепловые потери при прохождении тока. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.

Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус D2PAK обеспечивает поверхностный монтаж на печатную плату. В комплекте поставляется 10 шт.

Упаковка содержит набор из 10 транзисторов STB11NK50ZT4. Символ производителя: STB11NK50ZT4. Поляризация транзистора: униполярный.