Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM100GAL12T4 — полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS2. Устройство сочетает диод и транзистор, работает по топологии boost chopper с максимальным напряжением 1,2 кВ и током коллектора 550 А.

• Тип модуля: IGBT
• Максимальное напряжение: 1,2 кВ
• Максимально допустимый ток коллектора: 550 А
• Корпус: SEMITRANS2
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Топология: boost chopper

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и максимально допустимый ток коллектора 550 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Структура полупроводника включает диод и транзистор, что реализует функцию boost chopper.

Компонент выполнен в корпусе SEMITRANS2. Механическое крепление осуществляется прикручиванием. Электрическое подключение предполагает использование коннекторов FASTON или прикручивание контактов.