IGBT модуль от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 25AC126V1 (25230090). Это полупроводниковый модуль в корпусе MiniSKiiP® 2 с максимально допустимым током коллектора 100 А.

• Максимально допустимый ток коллектора: 100 А
• Обратное напряжение: 1,2 кВ
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Корпус: MiniSKiiP® 2
• Топология: трехфазный мост IGBT с термистором NTC
• Электрический монтаж: Press-Fit

Модуль имеет максимальный ток коллектора 100 А. Обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером — ±20 В.

Модуль имеет топологию трехфазного моста IGBT с термистором NTC. Структура полупроводника — транзистор/транзистор. Механический монтаж — винтовой, электрический — Press-Fit.