IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SK 35 GAL 12T4 — это полупроводниковый компонент в корпусе SEMITOP2 с номинальным током коллектора 35 А и максимальным обратным напряжением 1,2 кВ. Устройство предназначено для работы в топологии boost chopper и обеспечивает импульсный ток до 105 А. Применение: ИБП, инверторы, фотоэлектрика.

• Номинальный ток коллектора 35 А
• Импульсный ток до 105 А
• Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
• Корпус SEMITOP2 для крепления
• Монтаж Press-in PCB
• Топология boost chopper

Модуль выполнен в корпусе SEMITOP2 с механическим креплением (винтовой монтаж). Электрический монтаж осуществляется методом Press-in PCB. Версия компонента обозначена как T2.

Номинальный ток коллектора составляет 35 А, а максимальный импульсный ток достигает 105 А. Максимальное обратное напряжение (Urmax) равно 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.

Внутренняя структура модуля включает диод и транзистор. Топология модуля — boost chopper. Применение: ИБП, инверторы, фотоэлектрика.