•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | F1.1 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S — полупроводниковый компонент. Объединяет IGBT транзистор и диод в корпусе F1.1.
- Максимальное обратное напряжение 650 В
- Номинальный ток коллектора 10 А
- Максимально допустимый ток коллектора 20 А
- Корпус F1.1
- Технология Trench FS IGBT
- Встроенный NTC термистор
Модуль использует технологию Trench FS IGBT.
Электрические параметрыТок коллектора (Ic): 10 А. Максимально допустимый ток коллектора: 20 А. Максимальное обратное напряжение: 650 В.
МонтажТип монтажа: вставной (plug-in).
Топология и составТопология: boost chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT мост с выходом OE. Присутствует NTC термистор.
Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1
В наличии
3 350 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат