•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600 А, 1,2 кВ (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)
Характеристики и описание
Основной
| Максимально допустимый ток коллектора | 600 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | SEMiX® 3p |
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
IGBT модуль производства SEMIKRON DANFOSS с моделью SEMIX603GB12E4SICP. Устройство имеет максимальный ток коллектора 600 А и максимальное обратное напряжение 1,2 кВ. Корпус выполнен в формате SEMiX® 3p.
- Максимальный ток коллектора: 600 А
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Тип монтажа: вставной
- Корпус: SEMiX® 3p
- Структура: транзистор/транзистор
Модуль характеризуется максимально допустимым током коллектора 600 А. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером равно ±20 В.
Конструкция и монтажВнутренняя структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор». Топология модуля включает полупроводниковый мост IGBT и термистор. Монтаж выполняется вставным способом.
Транзистор IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600 А, 1,2 кВ (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)
В наличии
36 960 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат