N-MOSFET транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7296 в корпусе DFN3x3 EP. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 8 А. В комплекте поставляется 100 единиц.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 8,3 Вт
• Корпус: DFN3x3 EP (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 100 шт.

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «обогащенный» и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 8 А, что определяет пропускную способность устройства.

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 8,3 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 66 мОм, что влияет на тепловые потери при работе. Заряд затвора — 3 нКл.

Транзистор выполнен в поверхностном монтаже (SMD) в корпусе DFN3x3 EP. Такой тип монтажа предполагает размещение компонента на поверхности печатной платы.

В наборе содержится 100 транзисторов ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7296.