Полупроводниковый модуль IGBT от STMicroelectronics, модель A1P35S12M3. Это полумост IGBT x3 с током коллектора 35 А и обратным напряжением 1,2 кВ.

• Ток коллектора: 35 А
• Обратное напряжение: 1,2 кВ
• Максимальная мощность рассеивания: 250 Вт
• Максимально допустимый ток коллектора: 70 А
• Корпус: ACEPACK™1
• Тип монтажа: вставной

Модуль имеет максимально допустимый ток коллектора 70 А и максимальную мощность рассеивания 250 Вт. Обратное напряжение составляет 1,2 кВ, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Структура полупроводника реализована как транзистор/транзистор.

Корпус модуля выполнен в формате ACEPACK™1. Тип монтажа — вставной (plug-in). Топология включает три полумоста IGBT и термистор NTC.