Поиск
Нажмите найти для поиска
Bigl.ua
•
Все категории
•
Электрооборудование
•
Электронные компоненты
•
Активные компоненты
•
Транзисторы
•
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
Состояние
Новое
Пользовательские характеристики
Артикул
00-00078937
Корпус
TO-247
Максимальная _x000D_ температура перехода
150 °C
Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер
±20 В
Максимальное _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер
650 В
Максимальный ток _x000D_ коллектора
120 А при 25 °C
Тип устройства
IGBT (биполярный _x000D_ транзистор с изолированным затвором)
Типичная выходная _x000D_ емкость
130 пФ
Типичная скорость _x000D_ нарастания
79 нс
Типичное напряжение _x000D_ насыщения
1,85 В при 25 °C
Типичный полный заряд _x000D_ затвора
158 нКл
MSG60T65HFC0 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
В наличии
Код:
00-00078937
502
₴
Купить
Купить сейчас
Безопасная оплата
Продавец LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
4.8
Отзывы о продавце
График работы
Товары продавца
Защита покупки до 5 000 грн
Способы оплаты
Безопасная оплата
Как наложенный платеж, только без переплат
Вернем деньги, если что-то пойдет не так
Bigl гарантирует безопасность
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Пром-оплата
Смотреть все
Способы доставки
Нова Пошта
—
от 70 грн
Укрпошта
—
от 39 грн
Смотреть все
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Подробнее
Другие товары продавца
EP1K50TC144-3N FPGA - [TQFP-144]: Семейство: ACEX-1K: Ячеек: 2880: Регистров: 2880: Задержка: 6.6 нс: I/O: 102: Uпит: 2.375...3.6
5 534
₴
MBI5039GP-B Светодиодный драйвер MBI 5039 - 16 каналов
324
₴
DE0703-33 Дроссель: проволочный, SMD, 33мкГн, 910мА, 240мОм, ±20%, -40-85°C
57.5
₴
CD54NP-220MC Индуктивность: SMD, 22 мкГн, 1.11 А
58.8
₴
LQH43MN471K03L Ток: 80 мА. Индуктивность: 470 мкГн. Допуск: ±10%
62.5
₴
Смотрите также
Mosfet n канал 0в 10а st stp10nkzfp to220f
Igbt транзистор 50t65fesc mbq50t65fesc
Igbt n канал 0в 10а stm stgp10nckd to220
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзистор igw40t120 to 247
Транзисторы
Channel
Новые технологии
Ту 160
Channel 5
Tip35c
Mom 50
Mosfet n канал 0в 10а st stp10nkzfp to220f
Igbt транзистор 50t65fesc mbq50t65fesc
Igbt n канал 0в 10а stm stgp10nckd to220
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзистор igw40t120 to 247
Транзисторы
Channel
Новые технологии
Ту 160
Channel 5
Tip35c
Mom 50
Новинки в категории транзисторы
STGD3NB60SDT4 Транзистор: IGBT: 600 В: 6 А при 25С: 48 Вт: T...
NGTB15N120IHLWG IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 ...
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (наб...
Транзистор PNP ONSEMI FJV992FMTF, 120В, 0,3Вт, SOT23 (набор ...
Фототранзистор ONSEMI QSD123, THT, 5 мм, 30 В, угол обзора 2...
Транзистор LUGUANG ELECTRONIC DTA144ECA, PNP, SOT23, 50 В, 0...
Транзистор PNP STMicroelectronics BD438, 45 В, 4 А, SOT32 (B...
Транзистор ONSEMI MJD45H11-1G, PNP, 80 В, 8 А, DPAK, 20 шт.
Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM400GB126D, 1200 В, 600 А (SK...
Транзистор N-MOSFET WAYON WM02N25M, 20 В, 2,5 А, SOT23 — наб...
STGD3NB60SDT4 Транзистор: IGBT: 600 В: 6 А при 25С: 48 Вт: T...
NGTB15N120IHLWG IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 ...
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD30N06TM, 60В, 14.3А, DPAK (наб...
Транзистор PNP ONSEMI FJV992FMTF, 120В, 0,3Вт, SOT23 (набор ...
Фототранзистор ONSEMI QSD123, THT, 5 мм, 30 В, угол обзора 2...
Транзистор LUGUANG ELECTRONIC DTA144ECA, PNP, SOT23, 50 В, 0...
Транзистор PNP STMicroelectronics BD438, 45 В, 4 А, SOT32 (B...
Транзистор ONSEMI MJD45H11-1G, PNP, 80 В, 8 А, DPAK, 20 шт.
Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM400GB126D, 1200 В, 600 А (SK...
Транзистор N-MOSFET WAYON WM02N25M, 20 В, 2,5 А, SOT23 — наб...
Чат