•
•
•
•
•
•
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00078939 |
| Время нарастания _x000D_ типовое | 120 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 320 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 420 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 5.5 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 180 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 1.3 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 175 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 330 V |
| Тип корпуса | TO247 |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
MSG80N350HLC0 Транзистор IGBT
IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
В наличии
387 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат