Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Корпус	SO8
Структура	2 N + Shottky
Схема з'єднання	Незалежні
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	30 / 30 V
Vgs - напруга затвор-витік	±20 / ±20 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	7.5 / 7.5 А
Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C	6 / 6 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V	17 / 17 мОм
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	24 / 24 мОм
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	0.8 ... 3 V
Потужність розсіювання при 25°C	2 Вт