N-Channel Mosfet  VDSS = 30V  RDS(on) = 0.022Ω  ID(25°C)=8.5A

Корпус	SO8
Структура	N
Схема з'єднання	Одиночний
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	30 V
Vgs - напруга затвор-витік	±20 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	9.7 А
Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C	5.4 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V	22 мОм
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	35 мОм
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	min 1 V
Потужність розсіювання при 25°C	2.5 Вт