Dual N-Channel MOSFET VDSS=60V RDS(on) max=38mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=5A

Корпус	SO8
Структура	2 N
Схема з'єднання	Незалежні
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	60 / 60 V
Vgs - напруга затвор-витік	±20 / ±20 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	5 / 5 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V	38 / 38 мОм
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	42 / 42 мОм
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (типова)	1.5 V
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	1 ... 2 V
Потужність розсіювання при 25°C	2 Вт