Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -30V, -4.9A, 53mΩ @ VGS  -10V / 80mΩ @ VGS  -4.5V

Корпус	SO8
Структура	2 P
Схема з'єднання	Незалежні
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	-30 / -30 V
Vgs - напруга затвор-витік	±25 / ±25 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	-4.9 / -4.9 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V	53 / 53 мОм
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	80 / 80 мОм
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (типова)	-1.5 V
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	-1 ... -2 V
Потужність розсіювання при 25°C	2 Вт