P-Channel MOSFET  VDSS=20V  RDS(on) max=6.5mΩ@VGS = -4.5V  ID(25°C)=-14A

Корпус	SO8
Структура	P
Схема з'єднання	Одиночний
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	-20 V
Vgs - напруга затвор-витік	±12 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	-14 А
Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C	-8.8 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	6.5 мОм
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=2.5V	9 мОм
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (типова)	-0.6 V
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	-0.3 ... -1 V
Потужність розсіювання при 25°C	2 Вт