N-Channel MOSFET VDSS=100V RDS(on) max=4.3mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=180A

Корпус	TO220
Структура	N
Схема з'єднання	Одиночний
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	100 V
Vgs - напруга затвор-витік	±16 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	180 А
Id75(100) - постійний струм стоку при 75(100)°C	130 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V	3.4 мОм
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	3.6 мОм
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	1 ... 2.5 V
Потужність розсіювання при 25°C	370 Вт
Qg - заряд затвора	8.7e-8
Тип пакування	Туба
Стандартне пакування	50 шт