promo_download_app_android_2023
Нажмите найти для поиска
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительVishay Intertechnology

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Id - непрерывный ток утечки1.2 A
Pd - рассеивание мощности1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток345 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Артикул00-00051186
Вид монтажаSMD/SMT
Время нарастания35 ns
Время спада35 ns
Канальный режимEnhancement
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Полярность транзистораP-Channel
ТипSOT-23-3
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении40 ns
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V: Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage

В наличии
Код: 00-00051186
16.25 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат