Транзистор IGBT OST80N65HMF (Oriental Semiconductor) - 650V, 114A N-Channel Power IGBT со встроенным диодом
Мощный IGBT-транзистор от Oriental Semiconductor в корпусе TO-247 со встроенным антипараллальным диодом. Напряжение коллектор-эмиттер 650 В, непрерывный ток коллектора 114 А. Отличается низким напряжением насыщения VCE(sat) = 1.6 В и малым зарядом затвора Qg = 172 нКл. Предназначен для инверторов, приводов и импульсных источников питания.
Предельные параметры
| Параметр |
Значение |
Условия |
| Напряжение коллектор-эмиттер VCES |
650 В |
— |
| Напряжение затвор-эмитер VGES |
±20 В |
— |
| Транзиентное напряжение затвор-эмитер |
±30 В |
Tp ≤ 10 мкс, D < 0.01 |
| Ток коллектора IC |
114А |
TC = 25°C |
| Ток коллектора IC |
80А |
TC = 100°C |
| Импульсный ток коллектора IC,pulse |
320 А |
TC = 25°C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) |
1.6 В (typ) |
VGE = 15 В |
| Заряд затвора Qg |
172 нКл |
— |
| Прямой ток диода IF |
114А |
TC = 25°C |
| Прямой ток диода IF |
80А |
TC = 100°C |
| Импульсный ток диода IF,pulse |
320 А |
TC = 25°C |
| Рассеиваемая мощность PD |
395 Вт |
TC = 25°C |
| Рассеиваемая мощность PD |
197 Вт |
TC = 100°C |
| Тепловое сопротивление RθJC (IGBT) |
0.38 °C/Вт |
— |
| Тепловое сопротивление RθJC (диод) |
0.68 °C/Вт |
— |
| Тепловое сопротивление RθJA |
40 °C/Вт |
— |
| Температура перехода и хранения |
−55 ... +175 °C |
— |
| Корпус |
TO-247 |
G, C, E |
Применение: инверторы и частотные приводы, сварочные аппараты, индукционный нагрев, импульсные источники питания, UPS.