Професійний модуль для ефективного придушення сигналів у діапазоні 5725-5850 МГц. Використовує передову технологію GaN для забезпечення високої потужності та ефективності. Корпус виготовлений з алюмінію, що забезпечує оптимальне охолодження та міцність. Використовується в якості базового елемента для побудови потужних систем протидії БПЛА та в складі комплексів радіоелектронної боротьби (РЕБ).

Ключові переваги:
– Високоефективний транзистор GaN
– Вихідна потужність 100 Вт
– Робочий діапазон температур -30°C…+65°C
– Вбудована система захисту від перегріву
– Широкосмуговість покриття діапазону 5725-5850 МГц
– Компактні розміри та мала вага для легкої інтеграції

Комплектація: Основний модуль з GaN-підсилювачем.