Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
• Корпус: SOT-23
• Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
• Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 30 В
• Постоянный ток стока (ID), за карткою: 3.4 А
• Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 1.3 Вт
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 80 мОм
• Особенности: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)

Функционал

• Работа в DC-DC перетворювачах
• Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
• Управление силовыми линиями у BMS
• Коммутация нагрузки
• Управление линиями питания
• Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SOT-23, стандартна для цієї групи MOSFET орієнтація, вид зверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток) Для заміни деталлю іншого виробника цокольовку все одно слід звірити.