•
•
•
•
•
•
Транзистор IRFB9N60A
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | США |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимый ток стока | 5.80 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 170 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Срок службы | 10000 час |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Транзистор IRFB9N60A
В наличии
от 48 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
IBAN UA783052990000026004050287247
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат