P-Channel MOSFET  VDSS=20V  RDS(on) max=6.5mΩ@VGS = -4.5V  ID(25°C)=-14A

Корпус	SO8
Структура	P
Схема соединения	Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток	-20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	±12 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C	-14 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C	-8.8 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V	6.5 мОм
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=2.5V	9 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое)	-0.6 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон)	-0.3 ... -1 V
Мощность рассеяния при 25°C	2 Вт