Характеристики и описание
Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Состояние | Новое |
| Страна производитель | Китай |
| Тип | Корпус |
Пользовательские характеристики
2N3055 от STMicroelectronics — это кремниевый эпитаксиально-планарный мощный биполярный транзистор NPN-структуры, размещенный в надежном металлическом корпусе TO-3. Он разработан для использования в цепях переключения мощности, последовательных и шунтовых регуляторах напряжения, выходных каскадах и аудиоусилителях высокой точности (High-Fidelity). Этот транзистор является компонентом средней мощности с отличной областью безопасной работы. Комплементарной PNP-парой для него выступает транзистор MJ2955.
Характеристики
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (Vcbo): 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (Vebo): 7 В
- Максимальный ток коллектора (Ic): 15 А
- Максимальный ток базы (Ib): 7 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 115 Вт
- Граничная частота передачи тока (ft): 3 МГц
- Коэффициент усиления по току (hFE): от 20 до 70
- Диапазон рабочих температур (Tj): от -65°C до +200°C
- Корпус: TO-3 (металлический)
- Производитель: STMicroelectronics
Комплектация
- Транзистор 2N3055 (STMicroelectronics) – 1 шт.