Наименование: BSM100GB120DLCK
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 835
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20