FQP30N06 - это N-канальный QFET® на 60 В c индуцированным каналом (enhancement mode). Мощный МОП-транзистор производится с использованием запатентованной  Fairchild Semiconductor технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинному пробою . Этот продукт является универсальным и подходит для множества различных приложений.

• Низкий заряд затвора
• 100% тестирование на сопротивление лавинному пробою
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и плавная коммутация.
• Уменьшение потерь при переключении
• Меньшие потери проводимости

Максимальная Рабочая Температура: 175°C
Количество Выводов: 3 вывод(-ов)
Рассеиваемая Мощность: 79Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 60В
Непрерывный Ток Стока: 30А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.031Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 4В