Р-канальный MOSFET (полевой транзистор)

Характеристики

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 44(max) nC
• Время нарастания (tr): 43 ns
• Выходная емкость (Cd): 370 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB