promo_download_app_android_2023
Нажмите найти для поиска
КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (h21Э >80) (ТО92)
КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (h21Э >80) (ТО92)
Характеристики и описание

Основной

Максимальная мощность рассеивания0.50 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-база60 В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер60 В
Максимально допустимый ток коллектора0.30 А
Материал корпусаПластик
Тип биполярного транзистораN-P-N
Тип монтажаРучной монтаж
Тип транзистораБиполярный

Пользовательские характеристики

исполнениеДискретное
Страна происхождения CCCP
КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В)  (ТО92)


 

 

КТ645Б
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.
Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Вид климатического исполнения: «УХЛ5.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.333ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный : HSE401, 2SC714, 2SC944, BC547A.

Основные технические характеристики транзистора КТ645Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ

Технические характеристики транзисторов КТ645А, КТ645Б:
Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ645А n-p-n 0,3 0,6 50 60 4 0,5 20…200 0,5 <10 <10 - >200 <5 <50 150 -40…+85
КТ645Б n-p-n 0,3 0,6 40 40 4 0,5 >80 0,05 <10 <10 - >200 <5 <50 150 -40…+85


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

КТ645Б транзистор NPN (300 mA 40В) (h21Э >80) (ТО92)

В наличии
Код: КТ645Б
4.3 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Самовывоз
Оплата на счет
IBAN UA953052990000026008036705932
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Meest ПОШТА — от 30 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат