Наименование: IRG4PH50KD

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 200

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 45

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.77

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 100

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 140

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 180
Тип корпуса: TO247AC