Наименование прибора: IRLL024N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10.4 nC

Время нарастания (tr): 21 ns

Выходная емкость (Cd): 140 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT223