Наименование прибора: STP80NE06-10
Маркировка: P80NE06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 140 nC
Время роста (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 890 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-220