Наименование прибора: TK5A50D
Маркировка: K5A50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
пороговое напряжение включения | Ugs (th) |: 4.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время роста (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS