promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
Модули серии IGBT BSM50GAL120DN2  BSM50GB120DN2
Модули серии IGBT BSM50GAL120DN2  BSM50GB120DN2
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Тип транзистораТранзисторный модуль
Тип монтажаПоверхностный
Срок службы8000 час

Наименование: BSM50GAL120DN2

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 56

Емкость коллектора (Cc), pf: 500

Тип корпуса: MODULE

(замена) для BSM50GAL120DN2

Модули серии IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2

Готово к отправке
Код: BSM50GAL120DN2
от 1 100 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Оплата на счет
IBAN UA783052990000026004050287247
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавца
Чат