Виробник: IQR / IR
Серія: IRF3205

Потужний n-канальний MOSFET транзистор, розрахований на струм до 110 А та напругу 55 В. Модель IRF3205 відома своїм наднизьким опором каналу 8 мОм, що забезпечує мінімальні втрати потужності та високу ефективність у силових схемах.

Підходить для DC–DC перетворювачів, імпульсних блоків живлення, драйверів двигунів, інверторів, автомобільної електроніки та потужних навантажень.
Корпус TO-220-3 гарантує хороший тепловідвід і надійність у роботі при високих струмах.

Основні характеристики:

• Тип: n-канальний MOSFET

• Модель: IRF3205 (IQR)

• Напруга стік–витік (Vds): 55 В

• Максимальний струм стоку (Id): 110 А

• Опір Rds(on): 8 мОм

• Корпус: TO-220-3

• Тип монтажу: крізьотвірний (THT)

• Робоча температура: −55…+175 °C

• Висока швидкість перемикання

• Застосування: інвертори, блоки живлення, контролери двигунів, автоелектроніка