•
•
•
•
•
•
SIS412DN, MOSFET транзистор N канал, 30 В, 12 А, QFN8
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Тип корпусу | QFN8 |
| Тип монтажу | Поверхневий (BGA) |
| Тип польового транзистора | N-Channel |
Транзистор польовий
Маркування: S412
Корпус: QFN-8
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Технічні параметри:
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current (DC): 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15.6W
(Колекція в специфікаціях)
SIS412DN, MOSFET транзистор N канал, 30 В, 12 А, QFN8
Готово до відправки
29.9 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
IBAN UA053220010000026009330126683
Способи доставки
Нова Пошта — від 60 грн
Укрпошта — від 35 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Delivery
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат