2Т830Г
Транзисторы 2Т830Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.139 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т830Г:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г:
Тип
транзистора |
Структура |
Предельные значения параметров при Тп=25°С |
Значения параметров при Тп=25°С |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 гр.) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max
(РК. Т. max) |
h21Э |
UКЭ
нас. |
IКБО |
IЭБО |
IКЭR |
f гp. |
СК |
СЭ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мА |
мА |
мА |
МГц |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| 2Т830А |
p-n-p |
2 |
4 |
30 (25) |
35 |
5 |
1 (5) |
>25 |
<0,6 |
<0,1 |
<1 |
- |
>4 |
150 |
350 |
150 |
-60…+125 |
| 2Т830Б |
p-n-p |
2 |
4 |
50 (45) |
60 |
5 |
1 (5) |
>25 |
<0,6 |
<0,1 |
<1 |
- |
>4 |
150 |
350 |
150 |
-60…+125 |
| 2Т830В |
p-n-p |
2 |
4 |
70 (60) |
80 |
5 |
1 (5) |
>25 |
<0,6 |
<0,1 |
<1 |
- |
>4 |
150 |
350 |
150 |
-60…+125 |
| 2Т830Г |
p-n-p |
2 |
4 |
90 (80) |
100 |
5 |
1 (5) |
>20 |
<0,6 |
<0,1 |
<1 |
- |
>4 |
150 |
350 |
150 |
-60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.