•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT K75T60 (75N60)
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Infineon |
Користувальницькі характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 428 |
| Напруга затвор-емітер Vge, Вольт | 20 |
| Напруга колектор-емітер Vces, Вольт | 600 |
| Номінальний струм діода (100°C) If, Ампер | 75 |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic, Ампер | 75 |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr, Наносекунд | 121 |
| Структура | Trenchstop IGBT+діод |
600V; 75A; Usat=1.9V, Field Stop IGBT
Транзистор IGBT K75T60 (75N60)
Готово до відправки
172 ₴
Способи оплати
Нова Пошта, Укрпошта, Meest ПОШТА
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
9.4 ₴
97.44 ₴
17.4 ₴
63.22 ₴
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат