Транзистор H20R1203 (H20R1202) N канальний 40A 1200V IGBT TO247 — використовують у мікрохвильових печах, резонансних перетворювачах, індукційних плитах та інших пристроях.

IGBT транзистор — це досить хитромудрий прилад, що являє собою гібрид польового та біполярного транзизора. Це поєднання призвело до того, що він успадкував позитивні якості як польового транзизора, так і біполярного.

Характеристики

• Наявність вбудованого діода
• Максимальна напруга колектор-емітер 1200 В
• Максимальний струм колектор-емітер за 25 °C, 40 А
• Імпульсний струм колектора 60 А
• Напруга насичення за номінального струму 1,7 В
• Максимальна розсіювана потужність 310 Вт
• Час затримки вимкнення за 25 °C, 387 нс
• Робоча температура -40... +175 ° C
• Мінімальний статичний коефіцієнт передавання струму h21е 30
• Вага 7,5 г
• Тип корпусу TO247

Силові транзистори IGBT і MOSFET стали основними елементами, що застосовуються в потужних імпульсних перетворювачах. Їхні унікальні статичні та динамічні характеристики дають змогу створювати пристрої, здатні віддати в навантаження десятки та навіть сотні кіловатів за мінімальних габаритів і ККД, що перевищує 95%.