КР198НТ5Б DIP14 — матриця n-p-n транзисторів Виготовлена за біполярною технологією з діелектричною ізоляцією. Мікросхеми КР198НТ5Б є матрицю p-n-p транзисторів. Містять 5 інтегрованих елементів. Корпус типу 201.14-1, маса не більш ніж 1 г. Загальна інформація Найменування КР198НТ5Б DIP14 Мікросхема Торгова марка ГАО ТОНДІ-ЕЛЕКТРОНИКА, Таллінн Країна походження СРСР ТУ бК0.348.483 ТУ ГОСТ ГОСТ I8725-73 Тип приймання "1" Маса виробу, г. 2 Дата випуску Наявність паспорта — етикетки Транслітерація Microcircuit KR198NT5В Тип паковання пластмасова коробка Доупаковка палліт Стан паковання заводська Основні параметри Функціональний тип перетворювач Типорозмір корпусу вітчизняний 201.14-1 Типорозмір корпусу DIP14 Матеріал корпусу пластмаса Цвет изделия чорний Габаритні розміри L*W*H 18х8х3 Довжина корпусу 18 mm Ширина корпусу 6 mm Висота корпусу 3 mm Технічні характеристики Макс. допустима напруга еммітер-база UЕб 1 V Зворотний струм колектора не більш ніж 0,05 μA Умови експлуатації Інтервал робочих температур від -40 до +85 °C Кратність паковання 300 Примітка (1985-1989гг.) Мікросхема КР198НТ1А являє собою матрицю n-p-n транзисторів. Містить 5 інтегрованих елементів. Корпус типу 201.14-1. Містять 5 інтегрованих елементів. Виготовлена за біполярною технологією з діелектричною ізоляцією. Корпус типу 201.14-1.