2Т831А транзистор NPN (4A 30В) Au КТ-3 (ТО-39)

КТ831Г
Транзистори кремнієві мезаепітаксиально-планарні структури n-p-n підсилювальні.
Призначені для застосування в підсилювачах потужності, перетворювачах.
Корпус транзизора КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г металевий зі скляними ізоляторами та гнучкими виведеннями.
Маса транзисторів не більш ніж 2 г.
Тип корпусу: КТ-2 (ТО-39).
Технічні умови: АДБК.432150.125 ТУ.
Основні технічні характеристики транзизора КТ831Г:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 5 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 4 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 100 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 2 А;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 25;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,6 Ом
Технічні характеристики транзисторів КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г:
Тип
транзистори |
Структура |
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C |
Значення параметрів під час Тп = 25 °C |
TП
max |
Т
max |
IК
max |
IК. И.
max |
UКЕR max
(UКЕ0 max) |
UКБ0 max |
UЕБ0 max |
РК max
(РК. Т. max) |
h21Э |
UКЕ
нас. |
IКБО |
IЕБО |
IКЕR |
f гp. |
ЗК |
ЗЕ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мкА |
мкА |
мА |
МГц |
пФ |
пФ |
°С |
°С |
| КТ831А |
n-p-n |
2 |
4 |
30 |
35 |
5 |
1 (5) |
>25 |
<0,6 |
<100 |
<1000 |
- |
>4 |
<150 |
<350 |
150 |
-60…+100 |
| КТ831Б |
n-p-n |
2 |
4 |
50 |
60 |
5 |
1 (5) |
>25 |
<0,6 |
<100 |
<1000 |
- |
>4 |
<150 |
<350 |
150 |
-60…+100 |
| КТ831В |
n-p-n |
2 |
4 |
70 |
80 |
5 |
1 (5) |
>25 |
<0,6 |
<100 |
<1000 |
- |
>4 |
<150 |
<350 |
150 |
-60…+100 |
| КТ831Г |
n-p-n |
2 |
4 |
90 |
100 |
5 |
1 (5) |
>20 |
<0,6 |
<100 |
<1000 |
- |
>4 |
<150 |
<350 |
150 |
-60…+100 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЕR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЕБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЕR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• ЗК - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max — максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.