promo_download_app_android_2023
Натисніть знайти для пошуку
IRF 630N  транзистор  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
IRF 630N  транзистор  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
Характеристики та опис

Основні

ВиробникInternational Rectifier
Матеріал корпусуПластик
Країна виробникКитай
Тип монтажуРучний монтаж
Максимальна потужність розсіювання75 Вт
Тип транзистораПольовий
Максимально допустима напруга стік-витік200 В
Максимально допустимий струм стоку9 А

Користувацькi характеристики

Data sheet:завантажити PDF в специфікації
Корпус транзистора:ТО220
IRF 630N  транзистор  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W
N-CHANNEL 9А, 200 В, 0,35 Ом, N-канал, Power MOSFET

 

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

Виробник: STMicroelectronics
Категорія продукту: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует RoHS Деталі  
Торгова марка: STMicroelectronics  
Полярність транзизора: N-Channel
Vds — напруга пробою стік-висток: 200 V
Vds — напруга пробою затвор-висток: 20 V
Id — безперервний струм витоку: 9 A
Rds Вмик — опір стік-висток: 400 mOhms
Конфігурація: Single
Максимальна робоча температура: + 150 C
Pd — розсіювання потужності: 75 W
Вид монтажа: Through Hole
Паковання/блок: TO-220-3
Паковання: Tube
Канальний режим: Enhancement  
Крутість характеристики прямого передавання — Мін.: 4 S  
Мінімальна робоча температура: - 65 C  
Час наростання: 15 ns  
Серія: IRF630  
Розмір фабричного паковання: 50

IRF 630N транзистор MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 75W

В наявності
Код: IRF 630N
38.3 
Способи оплати
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунок
IBAN UA953052990000026008036705932
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Укрпошта — від 39 грн
Meest ПОШТА — від 30 грн
Самовивіз
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістю
Чат