Основной

Тип микросхемы	Операционный усилитель
Тип корпуса	DIP
Материал корпуса	Пластик
Страна производитель	Украина

Пользовательские характеристики

Техническое описание

скачать PDF в спецификации

КР198НТ5Б DIP14 - матрица n-p-n транзисторов

Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.

Общая информация

Наименование	КР198НТ5Б DIP14 Микросхема
Торговая марка	ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА, Таллинн
Страна происхождения	СССР
ТУ	бК0.348.483 ТУ
ГОСТ	ГОСТ I8725-73
Вид приемки	1
Масса изделия, гр.	2
Дата выпуска
Наличие паспорта -этикетки
Транслитерация	Microcircuit KR198NT5В
Вид упаковки	пластмассовая коробка
Доупаковка	паллет
Состояние упаковки	заводская

Основные параметры

Функциональный тип	преобразователь
Типоразмер корпуса отечественный	201.14-1
Типоразмер корпуса	DIP14
Материал корпуса	пластмасса
Цвет изделия	черный
Габаритные размеры LWH	18х8х3
Длина корпуса	18 mm
Ширина корпуса	6 mm
Высота корпуса	3 mm

Технические характеристики

Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб	1 V
Обратный ток коллектора	не более 0,05 µA

Условия эксплуатации

Интервал рабочих температур	от -40 до +85°С
Кратность упаковки	300
Примечание	(1985-1989гг.)

Микросхема КР198НТ1А представляет собой матрицу n-p-n транзисторов. Содержит 5 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1. Содержат 5 интегральных элементов. Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. Корпус типа 201.14-1.